MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 (BSS119E6327)

Part Number: BSS119E6327

Documents / Media: datasheets BSS119E6327

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: SIPMOS®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.3V @ 50µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 78pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 360mW (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-23-3
  • Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Цена по запросу