IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 (IRFPS3810PBF)
Part Number: IRFPS3810PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 100A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 390nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6790pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 580W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: SUPER-247 (TO-274AA)
- Корпус: TO-274AA
370 р.