MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 (SPP10N10)

Part Number: SPP10N10

Documents / Media: datasheets SPP10N10

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: SIPMOS®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 21µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 426pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 50W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO220-3-1
  • Корпус: TO-220-3

Цена по запросу