IR (Infineon Technologies)
MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB (IRFB7540PBF)
Part Number: IRFB7540PBF
Documents / Media: datasheets IRFB7540PBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 65A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.7V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4555pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 160W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220
- Корпус: TO-220-3
45 р.