MOSFET N CH 25V 16A S1

MOSFET N CH 25V 16A S1 (IRF6810STRPBF)

Part Number: IRF6810STRPBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.1V @ 25µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±16V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1038pF @ 13V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DIRECTFET S1
  • Корпус: DirectFET™ Isometric S1

Цена по запросу