IR (Infineon Technologies)
MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM (IRLH6224TR2PBF)
Part Number: IRLH6224TR2PBF
Documents / Media: datasheets IRLH6224TR2PBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3710pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.6W (Ta), 52W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-PQFN (5x6)
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу