MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC (62-0095PBF)

Part Number: 62-0095PBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.55V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): -
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 900pF @ 10V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: -
  • Корпус: -

Цена по запросу