IR (Infineon Technologies)
DIFFERENTIATED MOSFETS (BSC097N06NSTATMA1)
Part Number: BSC097N06NSTATMA1
Documents / Media: datasheets BSC097N06NSTATMA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 40A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.3V @ 14µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1075pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3W (Ta), 43W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TDSON-8
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу