MOSFET N-CH 900V 9A TO220

MOSFET N-CH 900V 9A TO220 (GP1M009A090H)

Part Number: GP1M009A090H

Documents / Media: datasheets GP1M009A090H

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 900V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2324pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 290W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220
  • Корпус: TO-220-3

Цена по запросу