MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F (GP2M002A065FG)

Part Number: GP2M002A065FG

Documents / Media: datasheets GP2M002A065FG

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 353pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 17.3W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220F
  • Корпус: TO-220-3 Full Pack

Цена по запросу