TRANS SJT 1.2KV 10A

TRANS SJT 1.2KV 10A (GA10JT12-247)

Part Number: GA10JT12-247

Documents / Media: datasheets GA10JT12-247

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: -
  • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10A
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 170W (Tc)
  • Рабочая температура: 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-247AB
  • Корпус: TO-247-3

Цена по запросу