MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC (AO4419_003)

Part Number: AO4419_003

Documents / Media: datasheets AO4419_003

Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.7V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-SO
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Цена по запросу