Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN (AON1611)
Part Number: AON1611
Documents / Media: datasheets AON1611
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 550pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.8W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 6-DFN (1.6x1.6)
- Корпус: 6-PowerUFDFN
Цена по запросу