MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6

MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6 (AON6370_001)

Part Number: AON6370_001

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: aMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 47A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 840pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 6.2W (Ta), 26W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-DFN (5x6)
  • Корпус: 8-VDFN Exposed Pad

Цена по запросу