MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN

MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN (AONR32314)

Part Number: AONR32314

Documents / Media: datasheets AONR32314

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.25V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1420pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 4.1W (Ta), 24W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-DFN (3x3)
  • Корпус: 8-SMD, Flat Lead

Цена по запросу