MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263 (AOB412L)

Part Number: AOB412L


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: SDMOS™
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.8V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3220pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.6W (Ta), 150W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: TO-263 (D²Pak)
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу