MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F

MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F (AOWF412)

Part Number: AOWF412

Documents / Media: datasheets AOWF412

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: SDMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.8V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3220pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.1W (Ta), 33W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: -
  • Корпус: TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Цена по запросу