RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP (CGH40006S)

Part Number: CGH40006S


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: GaN
  • Состояние детали: Active
  • Тип транзистора: HEMT
  • Частота: 0Hz ~ 6GHz
  • Усиление: 12dB
  • Voltage - Test: 28V
  • Токовая нагрузка: -
  • Noise Figure: -
  • Тестовый ток: 100mA
  • Выходная мощность: 8W
  • Нормальное напряжение: 84V
  • Корпус: 6-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса: 6-QFN-EP (3x3)

Цена по запросу