STMicroelectronics
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF (PD20010S-E)
Part Number: PD20010S-E
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип транзистора: LDMOS
- Частота: 2GHz
- Усиление: 11dB
- Voltage - Test: 13.6V
- Токовая нагрузка: 5A
- Noise Figure: -
- Тестовый ток: 150mA
- Выходная мощность: 10W
- Нормальное напряжение: 40V
- Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
- Исполнение корпуса: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Цена по запросу