FET RF 2CH 65V 2.9GHZ (MMRF1013HSR5)

Part Number: MMRF1013HSR5


Documents / Media: datasheets MMRF1013HSR5


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
  • Частота: 2.9GHz
  • Усиление: 13.3dB
  • Voltage - Test: 30V
  • Токовая нагрузка: -
  • Noise Figure: -
  • Тестовый ток: 100mA
  • Выходная мощность: 320W
  • Нормальное напряжение: 65V
  • Корпус: NI-1230-4S
  • Исполнение корпуса: NI-1230-4S

Цена по запросу