RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B

RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B (BLF7G27LS-100,112)

Part Number: BLF7G27LS-100,112

Documents / Media: datasheets BLF7G27LS-100,112

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип транзистора: LDMOS
  • Частота: 2.5GHz ~ 2.7GHz
  • Усиление: 18dB
  • Voltage - Test: 28V
  • Токовая нагрузка: 28A
  • Noise Figure: -
  • Тестовый ток: 900mA
  • Выходная мощность: 20W
  • Нормальное напряжение: 65V
  • Корпус: SOT-502B
  • Исполнение корпуса: SOT502B

Цена по запросу