RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B

RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B (BLF8G19LS-170BV,11)

Part Number: BLF8G19LS-170BV,11

Documents / Media: datasheets BLF8G19LS-170BV,11

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота: 1.94GHz ~ 1.99GHz
  • Усиление: 18dB
  • Voltage - Test: 32V
  • Токовая нагрузка: -
  • Noise Figure: -
  • Тестовый ток: 1.3A
  • Выходная мощность: 60W
  • Нормальное напряжение: 65V
  • Корпус: SOT-1120B
  • Исполнение корпуса: LDMOST

Цена по запросу