RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN (BLP10H605AZ)

Part Number: BLP10H605AZ


Documents / Media: datasheets BLP10H605AZ


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота: 860MHz
  • Усиление: 22.4dB
  • Voltage - Test: 50V
  • Токовая нагрузка: -
  • Noise Figure: -
  • Тестовый ток: 30mA
  • Выходная мощность: 5W
  • Нормальное напряжение: 104V
  • Корпус: 12-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса: 12-HVSON (6x4)

Цена по запросу