MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 (DMN65D8LDW-7)

Part Number: DMN65D8LDW-7

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 180mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 22pF @ 25V
  • Мощность: 300mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса: SOT-363

Цена по запросу