MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs (SI5519DU-T1-GE3)

Part Number: SI5519DU-T1-GE3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 660pF @ 10V
  • Мощность: 10.4W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® ChipFet Dual

Цена по запросу