MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP (SI3585DV-T1-E3)

Part Number: SI3585DV-T1-E3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 830mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса: 6-TSOP

Цена по запросу