MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO- (SQJ504EP-T1_GE3)

Part Number: SQJ504EP-T1_GE3


Documents / Media: datasheets SQJ504EP-T1_GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
  • Мощность: 34W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual

Цена по запросу