MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR (SIZ348DT-T1-GE3)

Part Number: SIZ348DT-T1-GE3


Documents / Media: datasheets SIZ348DT-T1-GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET® Gen IV
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12 mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 820pF @ 15V
  • Мощность: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerWDFN
  • Исполнение корпуса: 8-Power33 (3x3)

Цена по запросу