Vishay
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L (SQJ204EP-T1_GE3)
Part Number: SQJ204EP-T1_GE3
Documents / Media: datasheets SQJ204EP-T1_GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
- Мощность: 27W (Tc), 48W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Цена по запросу