Vishay
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8 (SQJ560EP-T1_GE3)
Part Number: SQJ560EP-T1_GE3
Documents / Media: datasheets SQJ560EP-T1_GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1650pF @ 25V
- Мощность: 34W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual
Цена по запросу