MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6 (SI1023X-T1-GE3)

Part Number: SI1023X-T1-GE3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 370mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 250mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса: SC-89-6

Цена по запросу