MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC (SI4931DY-T1-E3)

Part Number: SI4931DY-T1-E3

Documents / Media: datasheets SI4931DY-T1-E3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 350µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 1.1W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу