MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP (SI6975DQ-T1-E3)

Part Number: SI6975DQ-T1-E3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 450mV @ 5mA (Min)
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 830mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-TSSOP

Цена по запросу