MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO (SI4286DY-T1-GE3)

Part Number: SI4286DY-T1-GE3

Documents / Media: datasheets SI4286DY-T1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5 mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 375pF @ 20V
  • Мощность: 2.9W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу