MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC (SI4910DY-T1-E3)

Part Number: SI4910DY-T1-E3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 7.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 855pF @ 20V
  • Мощность: 3.1W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу