Vishay
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 (SI7288DP-T1-GE3)
Part Number: SI7288DP-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI7288DP-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 565pF @ 20V
- Мощность: 15.6W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual
Цена по запросу