MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 (SIR770DP-T1-GE3)

Part Number: SIR770DP-T1-GE3

Documents / Media: datasheets SIR770DP-T1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 900pF @ 15V
  • Мощность: 17.8W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual

Цена по запросу