MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC (SI4922BDY-T1-GE3)

Part Number: SI4922BDY-T1-GE3

Documents / Media: datasheets SI4922BDY-T1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2070pF @ 15V
  • Мощность: 3.1W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу