Vishay
MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET (SI5936DU-T1-GE3)
Part Number: SI5936DU-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI5936DU-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 320pF @ 15V
- Мощность: 10.4W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® ChipFet Dual
Цена по запросу