MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET (SI5906DU-T1-GE3)

Part Number: SI5906DU-T1-GE3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 300pF @ 15V
  • Мощность: 10.4W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® ChipFet Dual

Цена по запросу