MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8 (SI7994DP-T1-GE3)

Part Number: SI7994DP-T1-GE3

Documents / Media: datasheets SI7994DP-T1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 60A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 15V
  • Мощность: 46W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual

Цена по запросу