MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC (SI4388DY-T1-E3)

Part Number: SI4388DY-T1-E3

Documents / Media: datasheets SI4388DY-T1-E3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 10.7A, 11.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 946pF @ 15V
  • Мощность: 3.3W, 3.5W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу