MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC (SI4966DY-T1-E3)

Part Number: SI4966DY-T1-E3

Documents / Media: datasheets SI4966DY-T1-E3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 2W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу