MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP (SI8900EDB-T2-E1)

Part Number: SI8900EDB-T2-E1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 5.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 1.1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 1W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 10-UFBGA, CSPBGA
  • Исполнение корпуса: 10-Micro Foot™ CSP (2x5)

Цена по запросу