Vishay
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 (SIB900EDK-T1-GE3)
Part Number: SIB900EDK-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 3.1W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SC-75-6L Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Цена по запросу