MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6 (SI1912EDH-T1-E3)

Part Number: SI1912EDH-T1-E3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 1.13A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 570mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса: SC-70-6 (SOT-363)

Цена по запросу