Vishay
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 (SQJQ900E-T1_GE3)
Part Number: SQJQ900E-T1_GE3
Documents / Media: datasheets SQJQ900E-T1_GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5900pF @ 20V
- Мощность: 75W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® 8 x 8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Цена по запросу