MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR (SIZ988DT-T1-GE3)

Part Number: SIZ988DT-T1-GE3


Documents / Media: datasheets SIZ988DT-T1-GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
  • Мощность: 20.2W, 40W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerWDFN
  • Исполнение корпуса: 8-PowerPair®

Цена по запросу