MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 (SQJB68EP-T1_GE3)

Part Number: SQJB68EP-T1_GE3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 280pF @ 25V
  • Мощность: 27W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual

Цена по запросу