Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 (SSM6N7002BFE(T5L,F)
Part Number: SSM6N7002BFE(T5L,F
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: -
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 200mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 17pF @ 25V
- Мощность: 150mW
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-563, SOT-666
- Исполнение корпуса: ES6 (1.6x1.6)
Цена по запросу